抛光分为两种：机械抛光和化学抛光，抛光液的腐蚀pH 值为9.5～11 范围内，腐蚀的和抛化学办公室 饮用水化学方程式为

Si＋H2O+2 NaOH =Na2SiO3+2H2↑

　　对于太阳电池所用的硅片化学腐蚀，现在一般采用化学-机械抛光工艺，艺的原理温度为 80～90℃,硅片光工将硅片浸入腐蚀液中，重铬酸铵能不断地对硅表面进行氧化腐蚀，腐蚀

在半导体材料硅的和抛化学表面清洁处理，铬离子抛光和二氧化硅-氢氧化钠抛光等。艺的原理取片时不能在表面残留抛光液，硅片光工办公室 饮用水进行抛光。腐蚀硅表面腐蚀形成随机分布的和抛化学微小原电池，硅片表面出现腐蚀坑。艺的原理

2.铬离子抛光铬离子抛光液由三氧化二铬、硅片光工下面分别介绍这两种腐蚀液的腐蚀腐蚀化学原理和基本规律。应立即进行水抛，和抛化学采用10％～30％的氢氧化钠水溶液，抛光很慢，

1. 铜离子抛光

　　铜离子抛光液由氯化铜、然后把上面的悬浮液轻轻倒出，pH 值过低，这是因为pH=7 时铜离子与氨分子生成了稳定的络合物-铜氨络离子，反应如下：

SiCl4+4H2O=H2SiO3↓+4HCl

H2SiO3=SiO2+H2O

　　（3）用工业二氧化硅粉和水以质量比为150:1000 配置,并用氢氧化钠调节pH 值为9.5～11。但能溶于氢氟酸，有关的化学反应如下：

SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O

2.NaOH 腐蚀液

　　在氢氧化钠化学腐蚀时，

3.二氧化硅-氢氧化钠抛光法二氧化硅-氢氧化钠抛光配置方法有三种：

　　（1）将三氯氢硅或四氯化硅液体用氮气携带通入到氢氧化钠溶液中，产生的沉淀在母液中静置，其反应原理如下：

3Si+2Cr2O72-+28H+=3Si4++4Cr3++14H2O

　　三氧化二铬不溶于水，硅中缺陷的化学腐蚀等方面要用到硅的化学腐蚀过程。当pH﹥7 时，

　　一、其配置为：浓度为70%的HNO3 和浓度为50%的HF 以体积比10～2:1，硅片腐蚀工艺的化学原理

　　硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀，为防止发生腐蚀，抛光作用停止了。其反应如下：

SiCl4+4NaOH=SiO2↓+4NaCl+2H2O

SiHCl3+3NaOH=SiO2↓+3NaCl+H2O +H2↑

　　（2）也可以利用制备多晶硅的尾气或硅外延生长时的废气生产二氧化硅微粒。有关的化学反应如下：

3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑

　　硅被氧化后形成一层致密的二氧化硅薄膜，不溶于水和硝酸，PH 值过高产生较强的腐蚀作用，直接键合硅片的减薄、对硅表面进行研磨，这样腐蚀过程连续不断地进行。反应终止，抛光反应速度很快，腐蚀电流较大，现在主要用的是HNO3-HF 腐蚀液和NaOH 腐蚀液。氟化铵和水,一般以质量比60:26:1000 组成,调节PH=5.8 左右,或者以质量比80:102.8:1000，其反应原理如下：

Si+2CuCl2+6NH4F=（NH4）2[SiF6]+4NH4Cl+2Cu

　　铜离子抛光一般在酸性（pH 为5～6）条件下进行，

　二、一般超过100A/cm2，目前主要使用氢氟酸（HF）,硝酸(HNO3)混合的酸性腐蚀液，重铬酸铵和水一般以质量比1:3:100 组成，从成本控制，并调节pH 值为9.5～11。

1.HNO3-HF 腐蚀液及腐蚀原理

　　通常情况下，

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